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Webinar 23: "Óxidos semiconductores; una alternativa para la fabricación de dispositivos electrónicos"

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  • Presentador: David Guzmán
  • Fecha: Martes 3 de Octubre 2017
  • Hora: 5:00 pm (CDT)

Resumen: Actualmente, los óxidos semiconductores transparentes son de gran interés debido a sus aplicaciones en dispositivos electrónicos transparentes. Entre los óxidos semiconductores más utilizados se encuentran los semiconductores tipo n con gran aplicación en TFTs; ya que han mostrado un buen rendimiento eléctrico en dispositivos electrónicos. Además, la urgente falta de semiconductores adecuados con conductividad tipo p y propiedades eléctricas optimas ha retrasado su uso en aplicaciones prácticas tales como en dispositivos CMOS de baja potencia y alto rendimiento o pantallas AMOLED con estructuras OLED convencionales. Entre los óxidos semiconductores tipo p de mayor interés, se encuentra el SnO, ya que ha mostrado dicha conductividad y viables aplicaciones en TFTs y su posible integración en dispositivos más complejos, lo que lo hace un material de gran interés en el campo de la electrónica a pesar de los desafíos que implican estos semiconductores. En esta presentación abordaremos el depositado películas transparentes de SnO por métodos de depósito físico como Sputtering con atmosfera reactiva y su implementación en TFTs fabricados en un ambiente de cuarto limpio mediante la técnica de fotolitografía. Finalmente se mencionarán características de interés de este óxido semiconductor.

David Guzmán es egresado del Instituto Politécnico Nacional, donde obtuvo el grado en Ingeniería Mecánica (México-2010). Realizó una Maestría en ciencias con especialidad en Materiales en el Cinvestav de Querétaro (México-2013), en donde trabajó en la síntesis por sol-gel y caracterización de materiales híbridos del tipo TiO 2 -SiO 2 -PMMA para aplicaciones dieléctricas en TFTs. Actualmente, es candidato a obtener el grado de Doctor en ciencias con especialidad en Materiales por el Cinvestav, Querétaro (Dic-2017). Su principal enfoque de estudio es en “óxidos semiconductores tipo p, y sus aplicaciones en dispositivos electrónicos como TFTs”. Paralelamente a su Doctorado, ha trabajado en el crecimiento de nanowires por electrodeposición en membranas irradiadas con iones. Durante este periodo, ha desarrollado habilidades en la fabricación, caracterización y procesos de integración de materiales, sistemas de depósitos de películas delgadas, (Sputtering, ALD), fabricación de dispositivos por fotolitografía y laser fotolitografía (TFTs, MIM, MIS, Diodos), técnicas de microscopía (AFM, SEM), espectroscopía (XPS, XRD, Raman), extracción y análisis de parámetros eléctricos y ópticos mediante la operación de diversos sistemas (Efecto Hall, 4 puntas, Probe station, Elipsometría, Transmitancia y Reflectancia), protocolos de uso de cuarto limpio (clean room), y la manipulación de diversos software para el análisis de datos, entre otras.
Durante su doctorado, David ha colaborado con instituciones académicas internacionales como “The University of Texas at Dallas” (EUA, 2015-2016), donde desarrolló la parte experimental de su investigación doctoral, y “GSI Helmholtz Center for Heavy Ion Research GmbH” (Darmstadt, Alemania 2017)” siendo investigador invitado.
Entre los planes de David después de obtener el grado de Dr., está el gran interés por aportar, colaborar y continuar desarrollando sus capacidades como científico e ingeniero en instituciones internacionales y nacionales (México), públicas o privadas, además de encontrar la manera de retribuir a la sociedad mexicana un poco de lo que esta le ha brindado.